ตัวต้านทานคือ อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ชนิดหนึ่ง ซึ่งมีหน้าที่ต้านทานกระแสไฟฟ้าในวงจร เป็นอุปกรณ์ที่ใช้งานมากที่สุด สามารถนำไปใช้ได้ทั้งกระแสตรง และกระแสสลับ ส่วนการต้านทานของกระแสจะมากหรือน้อยจะขึ้นอยู่กับค่าของตัวต้านทาน ถ้าค่าความต้านทานน้อยก็ต้านกระแสได้น้อย ถ้าความต้านทานมากก็ต้านกระแสได้มาก
หน่วยของตัวต้านทาน
ค่าที่อ่านของความต้านทานมีหน่วยเป็น โอห์ม (Ohm) มีสัญลักษณ์(Ω)
- ชนิดของตัวต้านทาน
1.1 ตัวต้านทานแบบค่าคงที่
1.1 แบบตัวต้านทานค่าคงที่ (Fixed-value Resistor)
ตัวต้านทานชนิดคงที่ เป็นตัวต้านทานที่มีค่าความต้านทานที่แน่นอนเป็นที่นิยมมากในงานอิเล็กทรอนิกส์ และตัวต้านทานแบบคงที่สามารถแบ่งตามวัสดุที่ผลิต ดังนี้
1. ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนผสม (Carbon Composition)
2. ตัวต้านทานชนิดฟิล์มคาร์บอน (Carbon Film)
3. ตัวต้านทานชนิดฟิล์มโลหะ (Metal Film)
4. ตัวต้านทานชนิดไวร์วาวด์ (Wirewound)
5. ตัวต้านทานชนิดออกไซด์ของโลหะ (Metal Oxide)
6. ตัวต้านทานชนิดแผ่นฟิล์มหน้า (Thick Film)
- ตัวต้านทานชนิดคาร์บอนผสม (Carbon Composition Resistors)
ตัวต้านทานชนิดนี้นิยมใช้กันอย่างแพร่หลาย มีราคาถูก โครงสร้างภายในทำจากวัสตุที่มีคุณสมบัติเป็นตัวต้านทาน การเรียกตัวต้านทานชนิดนี้ว่าตัวต้านทานชนิดคาร์บอนผสม เนื่องจากวัสดุที่นำมาใช้ทำตัวต้านทานเกิดจากการผสมระหว่างคาร์บอน และผงของฉนวน ซึ่งถ้าเปลี่ยนอัตรส่วนผมของวัสดุทั้ง 2 ชนิด จะทำให้ค่าความต้านทานเปลี่ยนแปลงไป
กำลังการทนกระแสตัวต้านทานขึ้นอยู่กับขนาดของตัวต้านทาน เนื่องจากตัวต้านทานทำหน้าที่กำจัดประแสหรือต้านกระแสทำให้เกิดความร้อน และถ้าตัวต้านทานมีขนาดใหญ่การทนกระแสหรือกำลังวัตต์ก็จะสูงขึ้นตามไปด้วย
- ตัวต้านทานชนิดฟิล์มคาบอน (Carbon Film Resistors)
ตัวต้านทานชนิดนี่ถูกสร้างโดยการเคลือบแผ่นฟิล์มคาร์บอนที่มีคุณสมบัติของความต้านทานลงบนเกนเซลรามิก ซึ่งทำหน้าที่เป็นฉนวน หลังจากนั้นทำการตัดแต่งแผ่นฟิล์มคาร์บอนรอบแกนเซรามิก ถ้าอัตราส่วนของคาร์บอนมากกว่าฉนวน ค่าความต้านทานจะต่ำ แต่ถ่าฉนวนมีอัตราส่วนมากกว่าคาร์บอน ค่าความต้านทานที่ได้จะมีค่าสูง ตัวต้านทานแบบฟิล์มคาร์บอนจะมีค่าความคลาดเคลื่อนต่ำ และสามารถทนต่อการเปลี่ยนแปลงของอุณหภูมิได้สูง โดยไม่ทำให้ค่าความต้านทานเปลี่ยนแปลงนอกจากนั้นสัญญาณรบกวนที่เกิดจากการใช้ตัวต้านทานชนิดนี้ก็มีค่าน้อยกว่า เมื่อเปรียบเทียบกับตัวต้านทาน ชนิดคาร์บอนผสม
- ตัวต้านทานชนิดฟิล์มโลหะ (Metal Film Resistors)
ตัวต้านทานชนิดฟิล์มโลหะ การสร้างทำได้โดยการพ่นฟิล์มโลหะให้เป็นแผ่นบางๆลงบนเซรามิกทรงกระบอก จากนั้นจึงตัดแผ่นฟิล์มนี้โดยให้มีส่วนที่เป็นแผ่นฟิล์มคั่นอยู่กับฉนวนซึ่งเป็นเซรามิก ค่าความต้านทานชนิดฟิล์มโลหะมีค่าความคลาดเคลื่อนน้อยมากอยู่ระหว่าง +-0.1% ถึง +-1% สามารถทนต่อการเปลี่ยนแปลงของอุณหภูมิภายนอกได้ดี นอกจากนั้นสัญญาณรบกวนที่เกิดจากการใช้ตัวต้านทานชนิดนี้ก็มีค่าน้อย เมื่อเทียบกับตัวต้านทานคาร์บอนชนิดอื่นๆ
- ต้วต้านทานชนิดไวร์วาวด์ (Wirewound Resistors)
ตัวต้านทานชนิดไวร์วาวด์โครงสร้างภายในเกิดจากการพันขดลวดรอบๆ แกนเซรามิกทำหน้าที่เป็นฉนวน จากนั้นจึงต่อขั้วด้วยลวดตัวนำจากส่วนหัวและท้ายออกมา สำหรับค่าความต้านทานสามารถเปลี่ยนแปลงได้ตั้งแต่ 1 โอห์ม จนถึง 150 โอห์ม โดยขึ้นอยู่กับความยาวและขนาดของขดลวด ตัวต้านทานชนิดไวร์วาวด์นิยมใช้ในงานที่มีค่าความต้านทานต่ำๆ ทั้งนี้เพื่อให้กระแสไหลผ่านได้ดี ดังนั้น จึงควรมีขนาดใหญ่เพื่อให้สามารถกระจายความร้อนได้มากกว่า และมีค่าความคลาดเคลื่อนประมาณ +-1% แต่ด้วยขนาดโครงสร้างที่ใหญ่ และขั้นตอนการผลิตยุ่งยากจึงมีราคาแพง
- ตัวต้านทานชนิดออกไซด์ของโลหะ (Metal Oxide Resistors)
การสร้างตัวต้านทานชนิดนี้ทำโดยการเคลือบออกไซด์ของโลหะประเภทดีบุกลงบนวัสดุที่เป็นฉนวน โดยอัตราส่วนของออกไซด์ของโลหะซึ่งมีคุณสมบัติเป็นตัวนำต่อฉนวนจะเป็นตัวกำหนดค่าความต้านทานให้กับตัวต้านทานชนิดนี้ คุณสมบัติพิเศษของตัวต้านทานชนิดนี้ คือ สามารถทนต่อการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิได้ดี
- ตัวต้านทานชนิดแผ่นฟิล์มหนา (Thick Film Resistors)
ตัวต้านทานชนิดแผ่นฟิล์มหนาแบบ SIP (Single in-line Package) และ DIP (Dual in-line Package) ตัวต้านทานแบบ SIP จะต่อลวดความนำออกจากตัวตเานทานภายในเพียงแถวเดียว ส่วนตัวต้านทานแบบ DIP จะมีลวดตัวนำ 2 แถวต่อออกมาภายนอก ซึ่งตัวต้านทานแบบแผ่นฟิล์มทั้ง 2 แบบจะได้รับการปรับแต่งให้มีความคลาดเคลื่อนประมาณ +-2% โดยค่าความต้านทานที่ใช้โดยทั่วไปของตัวต้านทานชนิดนี้จะอยู่ระหว่าง 22 โอห์ม ถึง 2.2 เมกาโอห์ม และมีอัตราการทนกำลังประมาณ 1/2W
ไม่มีความคิดเห็น:
แสดงความคิดเห็น